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Semiconductor Materials and Devices

AP40006APFaculty of Science3 学分

Semiconductor Materials and Devices

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课程概览

来自官方课程资料的结构化信息

课程代码

AP40006

课程名称

Semiconductor Materials and Devices

开课学系

ap

所属学院

Faculty of Science

学分

3 学分

级别

4

课程简介

半导体材料与生长:半导体材料的结构和物理性质;晶体和外延生长,能带 半导体中的载流子:电子和空穴;本征半导体和杂质半导体;费米能级;载流子浓度;漂移;迁移率和导电性;霍尔效应。 过剩载流子:光吸收;发光;复合和载流子寿命;准费米能级;光导性;扩散;稳态载流子注入;扩散长度。 p-n结和二极管:制造;接触势;空间电荷和耗尽层;偏置结和二极管方程;反向偏置击穿;p-n结电容;金属-半导体结;开关二极管;变容二极管;隧道二极管;太阳能电池;光电探测器;发光二极管。 晶体管:双极型晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)中的载流子传输;I-V特性;放大;晶体管开关;集成电路(IC)技术。

学习目标

本课程旨在使学生了解半导体物理学、半导体材料性质以及各种类型的半导体结二极管和晶体管的工作原理。

先修要求

先修课程:AP20002 排除课程:AP30020

教学模式

讲授:将描述半导体物理学、材料和各种器件的基本原理。学生可以自由寻求帮助。鼓励学生解决问题并在寻求帮助前用自己的知识验证解决方案。 习题课:习题课将安排一系列问题和小组讨论主题。鼓励学生在寻求解决方案前先解决问题。 实验课:将提供一系列实验/演示。学生将有机会将从讲授中获得的基本知识应用于实际材料测试和器件应用,从而加深对课程的理解。