Introduction to Wide-bandgap Semiconductors

课程简介

介绍宽禁带半导体的最新发展、应用、未来等概览 宽禁带材料的基本性质：禁带宽度、电子迁移率、击穿、热导率和功率处理能力 SiC材料与器件：肖特基二极管和MOSFET；反向阻断、正向导通、寄生电容、开关特性、通态电阻、栅极电荷、安全工作区域（SOA）和体二极管 SiC和GaN功率器件的制造：三相逆变器在UPS应用中的应用，中压逆变器在光伏应用中的应用，栅极驱动器和SiC制造工艺流程 GaN材料与器件：HEMTs、通态电阻、栅极阈值电压、输入/输出电容和制造工艺 GaN发光二极管及其制造：物理性质和颜色、有机发光二极管及其应用、Micro-LEDs、nano-LEDs、高功率LED和GaN制造工艺 铌酸锂器件及其制造：材料性质和LN波导；调制器和开关，铌酸锂制造和设计规则

学习目标

本课程旨在使学生掌握最新宽禁带半导体材料、性质和器件物理。课程深入探讨了宽禁带半导体材料，即氮化镓、碳化硅、铌酸锂和金刚石。同时，课程还探讨了宽禁带材料、制造和器件在光、高频通信、高功率电子应用等方面的应用。

先修要求

无

教学模式

讲授，辅以互动问答和简短测验；辅导课，讨论问题并给学生布置问题让他们解决；作业。